FCP9N60N產品參數

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 9A TO220

詳細描述：通孔 N 溝道 600V 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220-3

制造商：ON Semiconductor

系列：SuperMOS??

包裝：管件

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：9A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：385 毫歐 @ 4.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1240pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：83.3W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220-3

封裝/外殼：TO-220-3

標準包裝：800

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）