FQD5N20LTM產品參數

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

詳細描述：表面貼裝 N 溝道 200V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak

制造商：ON Semiconductor

系列：QFET?

包裝：帶卷（TR）

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：3.8A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6.2nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：325pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），37W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：D-Pak

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

標準包裝：2,500

其它名稱：FQD5N20LTM-ND FQD5N20LTMTR