SI9407BDY-T1-E3產品參數

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

詳細描述：表面貼裝 P 溝道 60V 4.7A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET?

包裝：帶卷（TR）

零件狀態：在售

FET 類型：P 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：4.7A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：600pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：8-SO

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

標準包裝：2,500

其它名稱：SI9407BDY-T1-E3-ND SI9407BDY-T1-E3TR